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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 First-principles prediction of the magnetism of 3d transition-metal-doped Rocksalt MgO 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 10, 页码: 1292-1296 Shi LJ (Shi Li-Jie) 收藏  |  浏览/下载：18/3  |  提交时间：2010/04/13 Ferromagnetism  Half-metal  Double-exchange mechanism  TEMPERATURE FERROMAGNETISM  ELECTRIC PROPERTIES  ZNO FILMS  II-VI  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  MODEL  SPIN  GAS   Ultrafast Kerr rotations and zero-field dephasing time of electron spins in InAs/GaAs quantum disks 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 47, 页码: 4793-4796 Ning JQ (Ning J. Q.); Xu SJ (Xu S. J.); Wei ZF (Wei Z. F.); Ruan XZ (Ruan X. Z.); Ji Y (Ji Yang); Zheng HZ (Zheng H. Z.); Liu HC (Liu H. C.) 收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2010/12/05 Optical Kerr effect  Electron spin  Quantum disks  InAs/GaAs  REFRACTIVE-INDEX  COHERENCE  GAAS  SEMICONDUCTORS   Direct detection of the relative strength of Rashba and Dresselhaus spin-orbit interaction: Utilizing the SU(2) symmetry 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 3, 页码: art. no. 033304 Li J (Li Jun); Chang K (Chang Kai) 收藏  |  浏览/下载：60/1  |  提交时间：2010/08/17 RELAXATION ANISOTROPY  QUANTUM-WELLS  SEMICONDUCTORS  SYSTEMS   Charge Separation in Wurtzite/Zinc-Blende Heterojunction GaN Nanowires 期刊论文 chemphyschem, 2010, 卷号: 11, 期号: 15, 页码: 3329-3332 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo); Gao F (Gao Fei); Weber WJ (Weber William J.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/12/05 SILICON NANOWIRES  CATALYTIC GROWTH  BAND OFFSETS  SOLAR-CELLS  SEMICONDUCTORS  SUPERLATTICES  EFFICIENCY   Electron spin dynamics in heavily Mn-doped (Ga,Mn)As 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 26, 页码: article no.262109 作者:  Chen L;  Zhang XH 收藏  |  浏览/下载：63/6  |  提交时间：2011/07/05 SEMICONDUCTORS  TEMPERATURE  GAAS   First principles study of N-N split interstitial in GaN nanowires 期刊论文 physics letters a, 2010, 卷号: 374, 期号: 44, 页码: 4543-4547 Wang ZG (Wang Zhiguo); Li JB (Li Jingbo) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/14 N-N split interstitials  GaN nanowires  First principles calculation  SEMICONDUCTORS  ENERGY   Band-tail shape and transport near the metal-insulator transition in Si-doped 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 12, 页码: art. no. 125202 Misuraca J (Misuraca Jennifer); Trbovic J (Trbovic Jelena); Lu J (Lu Jun); Zhao JH (Zhao Jianhua); Ohno Y (Ohno Yuzo); Ohno H (Ohno Hideo); Xiong P (Xiong Peng); von Molnar S (von Molnar Stephan) 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/10/11 PERSISTENT PHOTOCONDUCTIVITY  DX CENTERS  ALXGA1-XAS  GAAS  SEMICONDUCTORS   Origin of ferromagnetism in self-assembled Ga1-xMnxAs quantum dots grown on Si 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 24, 页码: article no.242505 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：62/0  |  提交时间：2011/07/05 MN  SEMICONDUCTORS  SPINTRONICS  ELECTRONICS  (GA,MN)AS  GAAS   Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108 Zhu YH (Zhu Yuan-Hui); Xu Q (Xu Qiang); Fan WJ (Fan Wei-Jun); Wang JW (Wang Jian-Wei) 收藏  |  浏览/下载：68/3  |  提交时间：2010/05/07 ALLOYS  GE   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen); Peng HW (Peng Haowei); Xia JB (Xia Jian-Bai); Wang LW (Wang Lin-Wang); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS