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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 017307 作者:  Zhang SM;  Wang LJ;  Wang YT;  Yang H;  Wang LJ 收藏  |  浏览/下载：112/3  |  提交时间：2010/04/05 GaN  light emitting diode  surface treatment  leakage current  THREADING DISLOCATION DENSITIES  LAYERS  NI/AU  LEDS   Microstructure and strain analysis of GaN epitaxial films using in-plane grazing incidence x-ray diffraction 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: art. no. 076804 Guo X (Guo Xi); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Wang H (Wang Hui); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Qiu YX (Qiu Yong-Xin); Xu K (Xu Ke); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2010/08/17 in-plane grazing incidence x-ray diffraction  gallium nitride  mosaic structure  biaxial strain  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  LATTICE-CONSTANTS  ALN