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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  FILMS  MISFIT   Growth behavior of AlInGaN films 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477 Shang JZ; Zhang BP; Mao MH; Cai LE; Zhang JY; Fang ZL; Liu BL; Yu JZ; Wang QM; Kusakabe K; Ohkawa K 收藏  |  浏览/下载：216/66  |  提交时间：2010/03/08 Scanning electron microscope  Strain  X-ray diffraction  AlInGaN   Strain and magnetic anisotropy of as-grown and annealed Fe films on c(4x4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 1, 页码: art. no. 013911 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：74/0  |  提交时间：2010/03/08 annealing  gallium arsenide  iron  magnetic anisotropy  magnetic epitaxial layers  magnetisation  molecular beam epitaxial growth  transmission electron microscopy  X-ray diffraction   Anisotropic strain relaxation of thin Fe film on c(4 x 4) reconstructed GaAs (001) surface 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2009, 卷号: 42, 期号: 2, 页码: 150-153 作者:  Chen L 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2010/04/04 Fe thin film  Anisotropic strain relaxation  Magnetic anisotropy  X-ray diffraction  UNIAXIAL MAGNETIC-ANISOTROPY  EPITAXIAL-GROWTH  GAAS(001)  DEVICES   Role of edge dislocation and Si impurity in linking the blue luminescence and yellow luminescence in n-type GaN films 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 4, 页码: art. no. 041901 作者:  Yang H;  Wang H;  Wang H;  Wang YT;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：64/1  |  提交时间：2010/03/08 edge dislocations  gallium compounds  III-V semiconductors  impurities  photoluminescence  semiconductor doping  semiconductor thin films  silicon  wide band gap semiconductors  X-ray diffraction   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE