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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2009    专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207 Ou, X; Zhang, B; Wu, AM; Zhang, M; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/03/24 BURIED OXIDE LAYERS  SILICON  DISLOCATIONS  GENERATION  VOIDS  AU   The use of nanocavities for the fabrication of ultrathin buried oxide layers 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 1, 页码: 11903-11903 Ou, X; Kogler, R; Mucklich, A; Skorupa, W; Moller, W; Wang, X; Vines, L 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  SOI MOSFETS  SILICON  SI  HELIUM  SEPARATION  DEFECTS  TEMPERATURE  HYDROGEN  BUBBLES   富硅二氧化硅总剂量辐射效应及其机理初探 学位论文 硕士: 中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）  , 2009 陈明 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2012/03/06 离子注入  　二氧化硅  　总剂量效应  　纳米晶体　   Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 202-207 Ou, X; Zhang, B（重点实验室）; Wu, AM; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10 BURIED OXIDE LAYERS  SILICON  DISLOCATIONS  GENERATION  VOIDS  AU   Oxygen gettering in Si by He ion implantation-induced cavity layer 期刊论文 NUCLEAR SCIENCE AND TECHNIQUES, 2009, 卷号: 20, 期号: 4 Ou, X; Zhang, B（重点实验室）; Wu, AM（重点实验室）; Zhang, M（重点实验室）; Wang, X（重点实验室） 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/05/10 Nuclear Science & Technology  Physics  Nuclear