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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2258-2263 Don XM; Sun BQ; Huang SS; Ni HQ; Niu ZC; Yang FH; Jia R 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/03/08 biexcition binding energy  single quantum dots  exciton molecular model  Heitler-London method   Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310 作者:  Ye XL;  Pan JQ;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：128/30  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MULTIATOMIC STEPS  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  EPITAXY   Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105 作者:  Zhang XW;  Yin ZG;  You JB 收藏  |  浏览/下载：101/13  |  提交时间：2010/03/08 atomic force microscopy  field emission  hydrogen  II-VI semiconductors  plasma materials processing  sputter deposition  wide band gap semiconductors  work function  zinc compounds   Interfaces in InAs/GaSb Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 047802 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：206/51  |  提交时间：2010/03/08 INAS