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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Resonant tunneling through S- and U-shaped graphene nanoribbons 期刊论文 nanotechnology, 2009, 卷号: 20, 期号: 41, 页码: art. no. 415203 作者:  Wu ZH 收藏  |  浏览/下载：55/2  |  提交时间：2010/03/08 CONDUCTANCE  VOLTAGE  RIBBONS   Origin and Enhancement of Hole-Induced Ferromagnetism in First-Row d(0) Semiconductors 期刊论文 physical review letters, 2009, 卷号: 102, 期号: 1, 页码: art. no. 017201 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：393/60  |  提交时间：2010/03/08 COLLECTIVE ELECTRON FERROMAGNETISM  ENERGY  MODEL   Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：82/4  |  提交时间：2010/03/08 EMISSION  SPECTRA  LASERS  8-BAND   Possible origin of ferromagnetism in undoped anatase TiO2 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: art. no. 092411 作者:  Li JB 收藏  |  浏览/下载：72/34  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  ferromagnetic materials  magnetic moments  magnetic semiconductors  titanium compounds  vacancies (crystal)   Size dependence of biexciton binding energy in single InAs/GaAs quantum dots 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 2258-2263 Don XM; Sun BQ; Huang SS; Ni HQ; Niu ZC; Yang FH; Jia R 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/08 biexcition binding energy  single quantum dots  exciton molecular model  Heitler-London method   Electronic structure and optical gain of truncated InAs1-xNx/GaAs quantum dots 期刊论文 superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506 Chen J; Fan WJ; Xu Q; Zhang XW; Li SS; Xia JB 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 Band structure  k.p method  Quantum dots  Diluted nitride  Optical gain   Anomalous coarsening of self-assembled InAs quantum dots on vicinal GaAs (100) substrates 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: art. no. 055310 作者:  Ye XL;  Pan JQ;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：128/30  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MULTIATOMIC STEPS  ISLANDS  GROWTH  FABRICATION  EPITAXY   Enhancement of field emission of the ZnO film by the reduced work function and the increased conductivity via hydrogen plasma treatment 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 26, 页码: art. no. 262105 作者:  Zhang XW;  Yin ZG;  You JB 收藏  |  浏览/下载：101/13  |  提交时间：2010/03/08 atomic force microscopy  field emission  hydrogen  II-VI semiconductors  plasma materials processing  sputter deposition  wide band gap semiconductors  work function  zinc compounds   Interfaces in InAs/GaSb Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 047802 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：206/51  |  提交时间：2010/03/08 INAS   Indium-Induced Effect on Polarized Electroluminescence from InGaN/GaN MQWs Light Emitting Diodes 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 8, 页码: art. no. 087802 Ruan J; Yu TJ; Jia CY; Tao RC; Wang ZG; Zhang GY 收藏  |  浏览/下载：88/2  |  提交时间：2010/03/08 QUANTUM-WELL LASERS  OPTICAL GAIN  EMISSION  GAN  PHOTOLUMINESCENCE  SEMICONDUCTORS  LUMINESCENCE  SPECTRA  ORIGIN  ENERGY