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浏览/检索结果: 共11条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284 作者:  Ye XL;  Liang S 收藏  |  浏览/下载：32/4  |  提交时间：2010/03/08 Photoluminescence  Metalorganic vapor phase epitaxy  Self-assembled quantum dots  Indium arsenide   Narrowing of band gap and low-temperature spin glass behavior of FeNi co-doped ZnO nanowires 期刊论文 epl, 2009, 卷号: 87, 期号: 5, 页码: art. no. 57004 Iqbal J; Liu XF; Majid A; Yu DP; Yu RH 收藏  |  浏览/下载：92/34  |  提交时间：2010/03/08 ROOM-TEMPERATURE  PHOTOLUMINESCENCE  FERROMAGNETISM  FILMS  SPINTRONICS  PRINCIPLES   Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE 期刊论文 journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562 Wang BZ; Wang XL 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/03/08 AlInGaN  RF-MBE  structural properties  optical properties   Influence of zinc phthalocyanines on photoelectrical properties of hydrogenated amorphous silicon 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 39-42 作者:  Peng Wenbo;  Liu Shiyong 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 Characterization of Thick GaN Films Directly Grown on Wet-Etching Patterned Sapphire by HVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 9, 页码: art. no. 096801 作者:  Yang JK;  Wei TB;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：73/3  |  提交时间：2010/03/08 VAPOR-PHASE EPITAXY  DISLOCATIONS  SUBSTRATE  LAYER   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Boron-doped silicon film as a recombination layer in the tunnel junction of a tandem solar cell 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 6, 页码: 25-28 作者:  Liu Shiyong;  Peng Wenbo 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/23 Design of Low-Loss Surface-Plasmon Quantum Cascade Lasers 期刊论文 japanese journal of applied physics, 2009, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: art. no. 122101 Lu QY; Zhang W; Wang LJ; Gao Y; Yin W; Zhang QD; Liu WF; Liu FQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2010/04/04 FIELD MOBILITY MODEL  SEMICONDUCTOR-LASERS  OPTICAL-PROPERTIES  SUBMILLIMETER WAVELENGTHS  WAVE-GUIDES  AL  PB  AU  FE  NI   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE