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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependent spectral response characteristic of III-V compound tandem cell 期刊论文 chinese science bulletin, 2009, 卷号: 54, 期号: 3, 页码: 353-357 作者:  Wang Y 收藏  |  浏览/下载：411/35  |  提交时间：2010/03/08 spectral response  tandem cell  temperature coefficient   High efficiency passively Q-switched mode-locking Nd:GdVO4 laser with LT-In0.25Ga0.75As saturable absorber 期刊论文 optical materials, 2009, 卷号: 31, 期号: 8, 页码: 1215-1217 Pan SD; Zhao LN; Yuan Y; Zhu SN; He JL; Wang YG 收藏  |  浏览/下载：104/2  |  提交时间：2010/03/08 Semiconductor saturable absorber  Q-switch  Mode lock  Nd:GdVO4   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文 solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Zhang ML;  Hou QF 收藏  |  浏览/下载：129/30  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/AlN/GaN  HEMT  MOCVD  SiC substrate  Power device