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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157 作者:  Wei TB;  Wei XC;  Duan RF 收藏  |  浏览/下载：84/6  |  提交时间：2010/03/08 HRXRD  PL  Stacking fault  HVPE  GaN  Semipolar   Effect of silver growth temperature on the contacts between Ag and ZnO thin films 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2009, 卷号: 52, 期号: 9, 页码: 2779-2784 作者:  Li XK 收藏  |  浏览/下载：90/1  |  提交时间：2010/03/08 ZnO  Schottky barrier  interface  MSM structure   Structural and optical properties of ZnO films on SrTiO3 substrates by MOCVD 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: art. no. 015415 作者:  Jia CH 收藏  |  浏览/下载：173/14  |  提交时间：2010/03/08 PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  ZINC-OXIDE  PHOTOLUMINESCENCE  TEMPERATURE  SAPPHIRE  SURFACE  GROWTH   Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25 作者:  Liu Xingfang 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2010/11/23 Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：43/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE   Bulge testing and fracture properties of plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon nitride thin films 期刊论文 thin solid films, 2009, 卷号: 517, 期号: 6, 页码: 1989-1994 作者:  Li Y 收藏  |  浏览/下载：359/38  |  提交时间：2010/03/08 Bulge test  Fracture property  Silicon nitride  Weibull distribution function