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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structure versus electron effects in the growth mode of pentacene on metal-induced Si(111)-root 3x root 3 surfaces 期刊论文 JOURNAL OF CHEMICAL PHYSICS, 2008, 卷号: 129, 期号: 3 Teng, J; Guo, JD; Wu, KH; Wang, EH 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/09/24 SCANNING-TUNNELING-MICROSCOPY  THIN-FILM TRANSISTORS  AG/SI(111)-(ROOT-3 X ROOT-3)R30-DEGREES  ULTRAVIOLET PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY  AU(111)  ENERGY  POLYCRYSTALLINE  DIFFRACTION  MOLECULES  CHEMISTRY   Strain relaxation and surface morphology of high indium content InAlAs metamorphic buffers with reverse step 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2008, 卷号: 254, 期号: 16, 页码: 5241 Jiang, ZW; Wang, WX; Gao, HC; Liu, LS; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/24 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  DISLOCATION-STRUCTURE  GRADED BUFFER  QUANTUM-WELL  LAYERS  GAAS  INXGA1-XAS  EPILAYERS  GROWTH   Epitaxial growth of high quality TiN thin film on Si by laser molecular beam epitaxy 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2008, 卷号: 57, 期号: 2, 页码: 1236 He, M; Liu, GZ; Qiu, H; Xing, J; Lue, HB 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/09/17