QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of AlN Buffer Thickness on GaN Grown on Si(111) by Gas Source Molecular Beam Epitaxy with Ammonia 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 11, 页码: 4097-4100 Lin, GQ; Zeng, YP; Wang, XL; Liu, HX 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/03/08 RHEED  INTERLAYER  PRESSURE  NITRIDES  LAYERS  MBE