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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2007    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thermal FLUX laser annealing for ion implantation of semiconductor p-n junctions 专利 专利号: WO2007018567A1, 申请日期: 2007-02-15, 公开日期: 2007-02-15 作者:  ADAMS, BRUCE, E.;  JENNINGS, DEAN;  MAYUR, ABHILASH, J.;  PARHIHAR, VIJAY;  RANISH, JOSEPH, M. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/31 Long-wavelength VCSEL system with implant current confinement 专利 专利号: US20070025408A1, 申请日期: 2007-02-01, 公开日期: 2007-02-01 作者:  KOELLE, BERNHARD ULRICH;  SU, CHUNG-YI 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/31 Large area direct current (DC) pulse plasma base low energy implantation device for use in material surface engineering has low energy ion implantation power supply which outputs predetermined DC pulse negative bias voltage on sample table. 专利 申请日期: 2007-01-01, 公开日期: 2007-10-03 作者:  LEI M GUO J GAO F YUAN L ZHANG Z 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/27