| Long-wavelength VCSEL system with implant current confinement | |
| KOELLE, BERNHARD ULRICH; SU, CHUNG-YI | |
| 2007-02-01 | |
| 著作权人 | AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD. |
| 专利号 | US20070025408A1 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Long-wavelength VCSEL system with implant current confinement |
| 英文摘要 | The present invention provides a long-wavelength VCSEL system providing a buried layer, growing a top spacer layer on the buried layer, forming an active layer on the top spacer layer, and creating a current confinement structure in the buried layer with a post epitaxy ion implantation. |
| 公开日期 | 2007-02-01 |
| 申请日期 | 2005-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/65669]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | AVAGO TECHNOLOGIES FIBER IP (SINGAPORE) PTE. LTD. |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | KOELLE, BERNHARD ULRICH,SU, CHUNG-YI. Long-wavelength VCSEL system with implant current confinement. US20070025408A1. 2007-02-01. |
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