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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2007 [6]
学科主题
光电子学 [6]
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发表日期:2007
学科主题:光电子学
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Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:51/5
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Enhanced performance of p-GaN by Mg delta doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 1, 页码: 7-10
Wang HB (Wang Huaibing)
;
Liu JP (Liu Jianping)
;
Niu NH (Niu Nanhui)
;
Shen GD (Shen Guangdi)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
收藏
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浏览/下载:55/0
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提交时间:2010/03/29
delta doping
Influence of AlN thickness on strain evolution of GaN layer grown on high-temperature AlN interlayer
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 17, 页码: 5252-5255
Liu, W (Liu, W.)
;
Wang, JF (Wang, J. F.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, H.)
收藏
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2010/03/29
STRESS
Influence of defects in n(-)-GaN layer on the responsivity of Schottky barrier ultraviolet photodetectors
期刊论文
applied physics letters, 2007, 卷号: 90, 期号: 6, 页码: art.no.062106
作者:
Li XY
;
Jiang DS
;
Yang H
;
Zhu JJ
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Optical analysis of dislocation-related physical processes in GaN-based epilayers
期刊论文
physica status solidi b-basic solid state physics, 2007, 卷号: 244, 期号: 8, 页码: 2878-2891
Jiang, DS (Jiang, De-Sheng)
;
Zhao, DG (Zhao, De-Gang)
;
Yang, H (Yang, Hui)
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/03/29
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
Stress evolution influenced by oxide charges on GaN metal-organic chemical vapor deposition on silicon-on-insulator substrate
期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2007, 卷号: 89, 期号: 1, 页码: 177-181
Sun J
;
Chen J
;
Wang X
;
Wang J
;
Liu W
;
Zhu J
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/03/29
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