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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2006 [10]
学科主题
光电子学 [6]
半导体材料 [1]
半导体物理 [1]
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发表日期:2006
专题:半导体研究所
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The effects of lt aln buffer thickness on the properties of high al composition algan epilayers
期刊论文
Materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696
作者:
Wang, X. L.
;
Zhao, D. G.
;
Li, X. Y.
;
Gong, H. M.
;
Yang, H.
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Algan
Lt aln
Taxrd
Dislocation
Reduction of dislocations in gan epilayer grown on si (111) substrates using a gan intermedial layer
期刊论文
Chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
作者:
Wang Jian-Feng
;
Zhang Bao-Shun
;
Zhang Ji-Cai
;
Zhu Jian-Jun
;
Wang Yu-Tian
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2019/05/12
Influence of cracks generation on the structural and optical properties of GaN/Al0.55Ga0.45N multiple quantum wells
期刊论文
applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 8, 页码: 3043-3050
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:84/0
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提交时间:2010/04/11
nitrides
multiple quantum wells
cracks
dislocations
vacancies x-ray diffraction
X-RAY-DIFFRACTION
EDGE DISLOCATIONS
GAN
FILMS
SUPERLATTICES
RELAXATION
STRAIN
Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
ELECTRON-TRANSPORT
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
DISLOCATIONS
SAPPHIRE
ALN
Probing deep level centers in GaN epilayers with variable-frequency capacitance-voltage characteristics of Au/GaN Schottky contacts
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 14, 页码: art.no.143505
Wang RX (Wang R. X.)
;
Xu SJ (Xu S. J.)
;
Shi SL (Shi S. L.)
;
Beling CD (Beling C. D.)
;
Fung S (Fung S.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Tao XM (Tao X. M.)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
DISLOCATIONS
DEGRADATION
The effects of LT AlN buffer thickness on the properties of high Al composition AlGaN epilayers
期刊论文
materials letters, 2006, 卷号: 60, 期号: 29-30, 页码: 3693-3696
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:108/0
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提交时间:2010/04/11
AlGaN
LT AlN
TAXRD
dislocation
Interface effect on emission properties of Er-doped Si nanoclusters embedded in SiO2 prepared by magnetron sputtering
期刊论文
journal of applied physics, 2006, 卷号: 99, 期号: 9, 页码: art.no.094302
作者:
Jiang DS
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2010/04/11
ROOM-TEMPERATURE
SILICON
SEMICONDUCTORS
DISLOCATIONS
SPECTRA
Reduction of dislocations in GaN epilayer grown on Si (111) substrates using a GaN intermedial layer
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 2591-2594
Wang JF (Wang Jian-Feng)
;
Zhang BS (Zhang Bao-Shun)
;
Zhang JC (Zhang Ji-Cai)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Liu W (Liu Wei)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Yao DZ (Yao Duan-Zheng)
;
Yang H (Yang Hui)
收藏
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
ALN BUFFER LAYER
NUCLEATION LAYER
PHASE EPITAXY
EVOLUTION
DENSITY
SILICON
STRESS
SI
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2006, 卷号: 9, 期号: 1-3, 页码: 275-278
Sun GS (Sun G. S.)
;
Liu XF (Liu X. F.)
;
Gong QC (Gong Q. C.)
;
Wang L (Wang L.)
;
Zhao WS (Zhao W. S.)
;
Li JY (Li J. Y.)
;
Zeng YP (Zeng Y. P.)
;
Li JM (Li J. M.)
收藏
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/04/11
4H-SiC
homoepitaxial layers
surface morphological defect
optical microscopy
SILICON-CARBIDE
DISLOCATIONS
FILMS
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