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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2006    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The improvement of thick oxidized porous silicon layer growth process - art. no. 60290S 会议论文 20th congress of the international-commission-for-optics, changchun, peoples r china, aug 21-26, 2005 Li J; An JM; Wang HJ; Xia JL; Gao DS; Hu XW 收藏  |  浏览/下载：177/36  |  提交时间：2010/03/29 porous silicon   Photoluminescence from C+ ion-implanted and electrochemical etched Si layers 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 24, 页码: 8424-8427 Shi LW (Shi Liwei); Wang Q (Wang Qiang); Li YG (Li Yuguo); Xue CS (Xue Chengshan); Zhuang HZ (Zhuang Huizhao) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/04/11 ion implantation  annealing  chemical etching  photoluminescence  POROUS SILICON  LUMINESCENCE