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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of rapid thermal annealing on electron emission and DX centers in strained InGaAs/GaAs single quantum well laser diodes 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 2, 页码: 367-371 Lu LW; Zhang YH; Xu ZT; Xu ZY; Wang ZG; Wang J; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：103/7  |  提交时间：2010/08/12 quantum well  rapid thermal annealing  electron emission  DX centers  CRITICAL LAYER THICKNESS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY