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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2002    学科主题：半导体材料    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of GaN layer grown on Si(111) substrate using an ultrathin AlN wetting layer 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 77-84 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：74/5  |  提交时间：2010/08/12 substrates  heteroepitaxy  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  nitrides  INTERMEDIATE LAYER  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  SAPPHIRE  FILM   In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 期刊论文 silicon carbide and related materials 2001 pts 1 and 2 proceedings, 2002, 卷号: 389-3, 期号: 0, 页码: 339-342 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：78/0  |  提交时间：2010/08/12 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY   Heteroepitaxial growth of novel SOI material Si/gamma-Al2O3/Si 会议论文 symposium on silicon-based heterostructure materials held at the 8th iumrs international conference on electronic materials (iumrs-icem2002), xian, peoples r china, jun 10-14, 2002 Wang QY; Tan LW; Wang J; Yu YH; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, tsukuba, japan, oct 28-nov 02, 2001 Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 3C-SiC  in-situ doping  low-pressure CVD  sapphire substrate  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  COMPETITION EPITAXY