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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2001    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 399-403 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：85/11  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS   X-Ray diffraction determination of the fractions of hexagonal and twinned phases in cubic GaN layers grown on (001)GaAs substrate 期刊论文 thin solid films, 2001, 卷号: 392, 期号: 1, 页码: 29-33 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Liu SA; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：102/13  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  X-ray diffraction  EPITAXY  RATIO   Investigation of {111}A and {111} planes of c-GaN epilayers grown on GaAs(001) by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 233, 期号: 1-2, 页码: 52-56 Zheng XH; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Han JY; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：102/12  |  提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction  metalorganic chemical vapor deposition  gallium compounds  HEXAGONAL GAN  CUBIC GAN  GAAS   Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates 会议论文 11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000 Qu B; Zheng XH; Wang YT; Xu DP; Lin SM; Yang H; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/11/15 X-ray diffraction  nitrides  semiconducting III-V materials  PHASE  FILMS