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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A surface kinetics model for the growth of si1-xgex by uhv/cvd using sih4/ceh4 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 作者:  Yu, Z;  Li, DZ;  Cheng, BW;  Huang, CJ;  Lei, ZL 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/05/12 Sige/si  Epitaxial growth  Surface reaction kinetics  Uhv/cvd system   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in gaas/ganxas1-x/gaas(001) sandwiched structures 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 作者:  Pan, Z;  Wang, YT;  Li, LH;  Zhang, W;  Lin, YW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/05/12 X-ray diffraction  Strain relaxation  Ganxas1-x/gaas  Photoluminescence  Rheed   X-ray double-crystal characterization of the strain relaxation in GaAs/GaNxAs1-x/GaAs(001) sandwiched structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 217, 期号: 1-2, 页码: 26-32 Pan Z; Wang YT; Li LH; Zhang W; Lin YW; Zhou ZQ; Wu RH 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/08/12 x-ray diffraction  strain relaxation  GaNxAs1-x/GaAs  photoluminescence  RHEED  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  TEMPERATURE PULSED OPERATION  BAND-GAP ENERGY  NITROGEN  GAASN  GANXAS1-X  GAAS1-XNX  ALLOYS  LASERS  LAYERS   A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe/Si  epitaxial growth  surface reaction kinetics  UHV/CVD system  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  ATOMIC-HYDROGEN  ADSORPTION  SI(100)  SI2H6  SIH4  MECHANISMS  DESORPTION  PHASE  FILMS