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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2000    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Anomalous strains in the cubic-phase GaN films grown on GaAs (001) by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3762-3764 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  NITRIDE SEMICONDUCTORS  STRESS   Properties of proton-implanted p-type Si: supports for the models explaining a novel p-n junction in Si 期刊论文 nuclear instruments & methods in physics research section b-beam interactions with materials and atoms, 2000, 卷号: 160, 期号: 1, 页码: 190-193 Li JM; Gao M; Duan XF; Wang FL 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 silicon  ion implantation  electrical properties of semiconductors  defect  ION-IMPLANTATION  SILICON   The formation and characteristics of Si1-xCx alloys in Si crystals by means of implantation of cions with different doses 期刊论文 acta physica sinica, 2000, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2210-2213 Wang YS; Li JM; Jin YF; Wang YT; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 Si1-xCx alloy  ion implantation  solid phase epitaxy  CARBON