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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：1999     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication of ingaas quantum dots with an underlying ingaalas layer on gaas(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Jiang, WH;  Xu, HZ;  Xu, B;  Wu, J;  Ye, XL 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Ingaas/ingaalas  Adjusting layer  Molecular beam epitaxy  High index   Fabrication of InGaAs quantum dots with an underlying InGaAlAs layer on GaAs(100) and high index substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 205, 期号: 4, 页码: 607-612 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  InGaAs/InGaAlAs  adjusting layer  molecular beam epitaxy  high index  GAAS