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| 歪量子井戸型半導体レーザ 专利
专利号: JP2861166B2, 申请日期: 1998-12-11, 公开日期: 1999-02-24
作者: 石川 信
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| 半導体レーザ 专利
专利号: JP2847702B2, 申请日期: 1998-11-06, 公开日期: 1999-01-20
作者: 池田 昌夫; 中野 一志; 戸田 淳
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2020/01/18 |
| 半導体素子の保護膜形成方法 专利
专利号: JP2846086B2, 申请日期: 1998-10-30, 公开日期: 1999-01-13
作者: 長谷川 光利
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/12/26 |
| Surface-emission type light-emitting diode and fabrication process therefor 专利
专利号: US5821569, 申请日期: 1998-10-13, 公开日期: 1998-10-13
作者: DUTTA, ACHYUT KUMAR
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 半導体レーザ装置及びその製造方法 专利
专利号: JP2827130B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-18
作者: 尾内 敏彦
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| 光半導体装置 专利
专利号: JP2804093B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-24
作者: 茂木 直人; 平原 奎治郎
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2020/01/13 |
| 超短パルスレーザ光発生装置 专利
专利号: JP2760451B2, 申请日期: 1998-03-20, 公开日期: 1998-05-28
作者: 広瀬 正則
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| 半導体装置 专利
专利号: JP2750856B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-13
作者: 早川 利郎; 須山 尚宏; 高橋 向星; 近藤 雅文
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