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| Method for fabricating a semiconductor device by selectively controlling growth of an epitaxial layer without a mask 专利 专利号: US5854089, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29 作者: NAKATSU, HIROSHI 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Method of manufacturing wafer bonded semiconductor laser device 专利 专利号: US5854090, 申请日期: 1998-12-29, 公开日期: 1998-12-29 作者: IWAI, NORIHIRO; KASUKAWA, AKIHIKO 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 導波路型半導体光素子の製造方法 专利 专利号: JP2836822B2, 申请日期: 1998-10-09, 公开日期: 1998-12-14 作者: 宮澤 丈夫; 浅井 裕充; 三上 修 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 結晶成長方法 专利 专利号: JP2828979B2, 申请日期: 1998-09-18, 公开日期: 1998-11-25 作者: 近藤 正彦; 皆川 重量; 梶村 俊 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体レーザーの製造方法 专利 专利号: JP2822195B2, 申请日期: 1998-09-04, 公开日期: 1998-11-11 作者: 成井 啓修; 大畑 豊治; 森 芳文 收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 多波長半導体レーザダイオード 专利 专利号: JP2819160B2, 申请日期: 1998-08-28, 公开日期: 1998-10-30 作者: 宮澤 丈夫; 永沼 充 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 半導体レーザ素子 专利 专利号: JP2806533B2, 申请日期: 1998-07-24, 公开日期: 1998-09-30 作者: 坂根 千登勢; 瀧口 治久; 工藤 裕章; 菅原 聰 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 光半導体装置 专利 专利号: JP2804093B2, 申请日期: 1998-07-17, 公开日期: 1998-09-24 作者: 茂木 直人; 平原 奎治郎 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| Semiconductor guided-wave optical device and method of fabricating thereof 专利 专利号: US5764842, 申请日期: 1998-06-09, 公开日期: 1998-06-09 作者: AOKI, MASAHIRO; SATO, HIROSHI; SUZUKI, MAKOTO; KOMORI, MASAAKI 收藏  |  浏览/下载:14/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 光受信装置 专利 专利号: JP2785452B2, 申请日期: 1998-05-29, 公开日期: 1998-08-13 作者: 阿河 圭吾 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/12/26 |