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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
1996 [2]
学科主题
半导体物理 [2]
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发表日期:1996
学科主题:半导体物理
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Band structure parameters of zinc-blende GaN, AlN and their alloys Ga1-xAlxN
期刊论文
solid state communications, 1996, 卷号: 97, 期号: 5, 页码: 381-384
Fan WJ
;
Li MF
;
Chong TC
;
Xia JB
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提交时间:2010/11/17
semiconductors
electronic band structure
PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS
ELECTRONIC-STRUCTURE
GALLIUM NITRIDE
SEMICONDUCTORS
DIAMOND
Electronic properties of zinc-blende GaN, AlN, and their alloys Ga1-xAlxN
期刊论文
journal of applied physics, 1996, 卷号: 79, 期号: 1, 页码: 188-194
Fan WJ
;
Li MF
;
Chong TC
;
Xia JB
收藏
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  |  
提交时间:2010/11/17
GALLIUM NITRIDE
BAND-GAPS
PSEUDOPOTENTIAL CALCULATIONS
ALUMINUM NITRIDE
SEMICONDUCTORS
GROWTH
INSULATORS
CRYSTALS
SILICON
DIAMOND
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