一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法

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	一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法
	苏梅英2 ; 万里兮2 ; 曹立强2 ; 陆原2 ; 王启东2 ; 周云燕2
	2017-07-28
著作权人	中国科学院微电子研究所 ; 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
专利号	CN201410841720.0
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及微电子技术领域，特别涉及一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法。包括：将沉积有介质层的TSV晶圆正向放置在真空环境中，晶圆上的TSV孔的开口朝上。在TSV孔内注入去离子水，并测量去离子水的流量；检测TSV孔内的液面高度，当去离子水注满TSV孔时，停止注入去离子水，记录去离子水的总流量。对晶圆进行干燥，除去TSV孔内的去离子水；将晶圆反向放置，TSV孔的开口朝下。在TSV孔内注入汞，并测量汞的流量，控制汞的总流量小于记录的去离子水的总流量；采用汞探针C-V测试仪对TSV孔进行电学性能检测。本发明提供的TSV孔内介质层的电学性能检测方法，能够方便地对TSV孔进行电学性能检测。
公开日期	2015-03-25
申请日期	2014-12-30
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.106/handle/172511/17675]
专题	微电子研究所_系统封装与集成研发中心
作者单位	1.华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 2.中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	苏梅英,万里兮,曹立强,等. 一种TSV孔内介质层的电学性能检测方法. CN201410841720.0. 2017-07-28.