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	A Compact Model to Predict Pillar-Edge-Roughness Effects on 3D Vertical Nanowire MOSFETs Using the Perturbation Method (CPCI-S收录)
	Wang, Pu[1]; Hong, Chuyang[1]; Cheng, Qi[1]; Chen, Yijian[1]
关键词	3D vertical nanowire MOSFETs pillar-edge roughness (PER) Poisson's equation Laplace equation perturbation method
URL标识	查看原文
内容类型	会议
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2043242
专题	华南理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, Pu[1],Hong, Chuyang[1],Cheng, Qi[1],等.A Compact Model to Predict Pillar-Edge-Roughness Effects on 3D Vertical Nanowire MOSFETs Using the Perturbation Method (CPCI-S收录).

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