×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
西安交通大学 [2]
兰州理工大学 [1]
近代物理研究所 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2022 [1]
2018 [2]
2017 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共4条,第1-4条
帮助
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
作者升序
作者降序
Dual-doping in the bulk and the surface to ameliorate the hematite anode for photoelectrochemical water oxidation
期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2022, 卷号: 624, 页码: 60-69
作者:
Wang, Tong
;
Gao, Lili
;
Wang, Peng
;
Long, Xuefeng
;
Chai, Huan
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2022/06/20
Electrochemistry
Heterojunctions
Oxidation
Semiconductor doping
Charge carrier density
Co catalysts
Dual doping
Haematite
High charges
Oxidation kinetics
P-n heterojunctions
Photoelectrochemical water oxidation
Photoelectrochemical water splitting
Potential barriers
Calculation of multidimensional potential energy surfaces for even-even transuranium nuclei: systematic investigation of the triaxiality effect on the fission barrier
期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2018, 卷号: 42, 页码: 054101
作者:
Liu, Min-Liang
;
Wang, Hua-Lei
;
Chai, Qing-Zhen
;
Zhao, Wei-Juan
收藏
  |  
浏览/下载:32/0
  |  
提交时间:2018/07/04
static fission barriers
potential energy surface approach
triaxiality
Woods-Saxon potential
Improved breakdown strength and energy density of Al2O3/nano-ZrO2 composite films via enhanced interfacial repairing behavior
期刊论文
Ceramics International, 2018, 卷号: 44, 页码: 21428-21436
作者:
Li, Mengxin
;
Yao, Manwen
;
Su, Zhen
;
Gao, Wenbin
;
Yao, Xi
收藏
  |  
浏览/下载:18/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Breakdown strengths
Dielectric strengths
Energy density
High electric fields
Interfacial repairing behavior
Nano-composite structure
Potential barriers
ZrO2 nanoparticles
Modeling a Si homojunction SOI-Tunnel FET with configurable voltage difference on gates
会议论文
作者:
Wei, Sufen
;
Zhang, Guohe
;
Liu, Jing
;
Huang, Huixiang
;
Geng, Li
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/11/26
Band to band tunneling
Channel region
N type silicon
Potential barriers
Silicon on insulator (SOI)
Technology computer aided design
Tunnel FET (TFET)
Voltage difference
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace