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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2000 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Proton irradiation-induced defects in undoped GaSb studied by positron lifetime spectroscopy and photoluminescence
期刊论文
journal of optoelectronics and advanced materials, 2009, 卷号: 11, 期号: 8, 页码: 1122-1126
Li H
;
Wang Z
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Ke JY
;
Zhao YW
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浏览/下载:58/1
  |  
提交时间:2010/03/08
GaSb
Proton irradiation
Defects
Positron lifetime
Photoluminescence
Study of persistent photoconductivity and subband electronic properties of the two-dimensional electron gas in modulation doped GaAs/AlGaAs structure
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1379-1383
Shu Q
;
Shu YC
;
Zhang GJ
;
Liu RB
;
Yao JH
;
Pi B
;
Xing XD
;
Lin YW
;
Xu JJ
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:63/0
  |  
提交时间:2010/04/11
two-dimensional electron gas
quantum Hall effect
SdH oscillations
persistent photoconductivity
HETEROSTRUCTURES
ALXGA1-XAS
SCATTERING
LIFETIME
MOBILITY
GAAS
TE
Strong temperature dependence of photoluminescence properties in visible InAlAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 1-2, 页码: 51-55
Liu BL
;
Xu ZY
;
Liu HY
;
Wang ZG
收藏
  |  
浏览/下载:49/0
  |  
提交时间:2010/08/12
InAlAs/AlGaAs
quantum dots
photoluminescence
time-resolved photoluminescence
LIFETIME
METASTABLE DEFECT IN AMORPHOUS-SILICON SOLAR-CELLS INVESTIGATED BY JUNCTION RECOVERY TECHNIQUE
期刊论文
journal of non-crystalline solids, 1991, 卷号: 128, 期号: 1, 页码: 86-90
ZHANG Q
;
LI FD
;
LIAO XB
;
KONG GL
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/15
LIFETIME
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