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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位    发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Implantation temperature and thermal annealing behavior in H-2(+)-implanted 6H-SiC 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2013, 卷号: 316, 页码: 239-244 作者:  Li, B. S.;  Wang, Z. G.;  Jin, J. F. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/07/05 6h-sic  Hydrogen Implantation  Hrxrd  Surface Morphology  Ion-cut   Effects of annealing temperature on buried oxide precipitates in He and O co-implanted Si 期刊论文 VACUUM, 2013, 卷号: 93, 期号: 93, 页码: 22-27 作者:  Zhong, YR;  Li, BS;  Wang, BY;  Qin, XB 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2015/10/15 Ion implantation  Oxide precipitates  Si-O stretching band  Vacancy-type defects  Microstructures