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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：厦门大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Relationship between tribological properties and oxidation behavior of Ti034Al066N coatings at elevated temperature up to 900C 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2012.02.017, 2013 Qi, Z.B.; Sun, P.; Zhu, F.P.; Wu, Z.T.; Liu, B.; Wang, Z.C.; Peng, D.L.; Wu, C.H.; 彭栋梁 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2015/07/22 Aluminum  Auger electron spectroscopy  Carbides  Coatings  Ion implantation  Mechanical properties  Oxidation  Phase separation  Scanning electron microscopy  Tribology  Wear of materials  X ray diffraction   合金条件对Al/n~+-Ge欧姆接触的影响 期刊论文 2013 林旺; 阮育娇; 陈松岩; 李成; 赖虹凯; 汤丁亮 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2016/05/17 Al/n+-Ge接触  离子注入  退火  圆形传输线模型(CTLM)  接触电阻率  Al/n+-Ge contact  ion implantation  annealing  circular transmission line model(CTLM)  contact resistivity   Low specific contact resistivity to n-Ge and well-behaved Ge n +/p diode achieved by implantation and excimer laser annealing 期刊论文 http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.106501, 2013 Wang, Chen; Li, Cheng; Huang, Shihao; Lu, Weifang; Yan, Guangming; Lin, Guangyang; Wei, Jiangbin; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 黄巍; 赖虹凯; 陈松岩 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/07/22 Annealing  Excimer lasers  Ion implantation  Ohmic contacts  Phosphorus   Low Specific Contact Resistivity to n-Ge and Well-Behaved Ge n(+)/p Diode Achieved by Implantation and Excimer Laser Annealing 期刊论文 http://dx.doi.org/10.7567/APEX.6.106501, 2013 Wang, Chen; Li, Cheng; Huang, Shihao; Lu, Weifang; Yan, Guangming; Lin, Guangyang; Wei, Jiangbin; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成; 黄巍; 陈松岩; 赖虹凯 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22 ION-IMPLANTATION  GERMANIUM  ACTIVATION  JUNCTIONS  AMORPHIZATION  TAN