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科研机构
上海微系统与信息技术... [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [8]
学科主题
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Electrical... [2]
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Impact of within-wafer process variability on radiation response
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 6, 页码: 883-888
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCI LTD
Comprehensive Study on the Total Dose Effects in a 180-nm CMOS Technology
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1347-1354
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Simple Method for Extracting Effective Sheet Charge Density Along STI Sidewalls Due to Radiation
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1332-1337
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Total Ionizing Dose Enhanced DIBL Effect for Deep Submicron NMOSFET
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1324-1331
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
Total ionizing dose effects in elementary devices for 180-nm flash technologies
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1295-1301
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
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Zou,SC
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提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
Radiation Hardening by Applying Substrate Bias
期刊论文
IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2011, 卷号: 58, 期号: 3, 页码: 1355-1360
Hu,ZY
;
Liu,ZL
;
Shao,H
;
Zhang,ZX
;
Ning,BX
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/04/10
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC
The impact of total ionizing radiation on body effect
期刊论文
MICROELECTRONICS JOURNAL, 2011, 卷号: 42, 期号: 12, 页码: 1396-1399
Ning,BX
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Liu,ZL
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Zou,SC
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提交时间:2012/04/10
ELSEVIER SCI LTD
Comparison of TID response in core, input/output and high voltage transistors for flash memory
期刊论文
MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2011, 卷号: 51, 期号: 6, 页码: 1148-1151
Liu,ZL
;
Hu,ZY
;
Zhang,ZX
;
Shao,H
;
Chen,M
;
Bi,DW
;
Ning,BX
;
Zou,SC
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/04/10
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
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