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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 内容类型：外文期刊     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography 外文期刊 2008 作者:  Xu, JB;  Zhang, HY;  Wang, WX;  Liu, L;  Li, M 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/26 Lmds