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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525 作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23