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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301 作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L 收藏  |  浏览/下载：37/3  |  提交时间：2011/07/05 4H-SiC  Raman scattering  LOPC modes  transport properties  SILICON-CARBIDE  LIGHT  GAP   The effects of substrate temperature on the structure and properties of ZnO films prepared by pulsed laser deposition 期刊论文 vacuum, 2008, 卷号: 82, 期号: 5, 页码: 495-500 Zhu, BL; Sun, XH; Zha, XZ; Su, FH; Li, GH; Wu, XG; Wu, J; Wu, R; Liu, J 收藏  |  浏览/下载：46/1  |  提交时间：2010/03/08 PLD  ZnO films  substrate temperature  crystal quality  grain size  optical properties   Effect of substrate temperature on the growth and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanostructures 期刊论文 journal of crystal growth, 2006, 卷号: 292, 期号: 1, 页码: 19-25 Li C (Li Chun); Fang GJ (Fang Guojia); Fu Q (Fu Qiang); Su FH (Su Fuhai); Li GH (Li Guohua); Wu XG (Wu Xiaoguang); Zhao XZ (Zhao Xingzhong) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2010/04/11 nanostructure  vapor phase transport  ZnO  semiconductor materials  PHYSICAL VAPOR-DEPOSITION  OPTICAL-PROPERTIES  THERMAL EVAPORATION  FIELD-EMISSION  NANOWIRES  NANORODS  MECHANISM  ARRAYS   Synthesis and photoluminescence properties of vertically aligned ZnO nanorod-nanowall junction arrays on a ZnO-coated silicon substrate 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 15, 页码: 3740-3744 Li C (Li Chun); Fang GJ (Fang Guojia); Su FH (Su Fuhai); Li GH (Li Guohua); Wu XG (Wu Xiaoguang); Zhao XZ (Zhao Xingzhong) 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/04/11 TEMPERATURE-DEPENDENT PHOTOLUMINESCENCE  OPTICAL-PROPERTIES  ZINC-OXIDE  THIN-FILMS  VAPOR-DEPOSITION  SI SUBSTRATE  NANOWIRES  GROWTH  EMISSION  EPITAXY   The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   Resonant magnetopolaron effects due to interface phonons in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structures 期刊论文 physical review letters, 1997, 卷号: 79, 期号: 17, 页码: 3226-3229 Wang YJ; Nickel HA; McCombe BD; Peeters FM; Shi JM; Hai GQ; Wu XG; Eustis TJ; Schaff W 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/17 POLARON-CYCLOTRON-RESONANCE  GAAS  HETEROSTRUCTURES  MODES  HETEROJUNCTIONS  SUPERLATTICES  ELECTRONS  MASS