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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [3]
会议论文 [1]
发表日期
2011 [1]
2010 [1]
2008 [1]
2005 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Improvement of efficiency of GaN-based polarization-doped light-emitting diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 24, 页码: 241111
Zhang, L
;
Wei, XC
;
Liu, NX
;
Lu, HX
;
Zeng, JP
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/02/06
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURES
TRANSPORT-PROPERTIES
Catalytic Activation of Mg-Doped GaN by Hydrogen Desorption Using Different Metal Thin Layers
期刊论文
japanese journal of applied physics, 2010, 卷号: 49, 期号: 10, 页码: art. no. 100201
Wei TB (Wei Tongbo)
;
Wang JX (Wang Junxi)
;
Liu NX (Liu Naixin)
;
Lu HX (Lu Hongxi)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Wang GH (Wang Guohong)
;
Li JM (Li Jinmin)
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2010/11/14
LOW-TEMPERATURE ACTIVATION
FILMS
High Quality AlGaN Grown on GaN Template with HT-AlN Interlayer
会议论文
9th international conference on solid-state and integrated-circuit technology, beijing, peoples r china, oct 20-23, 2008
Yan, JC
;
Wang, JX
;
Liu, Z
;
Liu, NX
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/09
DIODES
Theoretical investigation on the phase stability of Nd2Fe14B and site preference of V, Cr, Mn, Zr and Nb
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 2005, 卷号: 295, 期号: 3, 页码: 219-229
Wang HY
;
Zhao FA
;
Chen NX
;
Liu G
收藏
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浏览/下载:92/20
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提交时间:2010/03/17
Nd2Fe14B
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