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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 The effects of concomitant In and N incorporation on the photoluminescence of GaInNAs 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 2, 页码: 261-266 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  molecular beam epitaxy  quantum wells  III-V semiconductors  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  SINGLE-QUANTUM-WELL  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  BEHAVIOR  LAYER   Optical transitions and type-II band lineup of MBE-grown GaNAs/GaAs single-quantum-well structures 期刊论文 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 501-505 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：147/24  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  quantum wells  semiconducting IIIV materials  LUMINESCENCE  GAASN   Analysis of the temperature-induced transition to current self-oscillations in doped GaAs/AlAs superlattices 期刊论文 semiconductor science and technology, 2001, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 239-242 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：95/11  |  提交时间：2010/08/12 GAAS-ALAS SUPERLATTICES  ELECTRIC-FIELD DOMAINS   High-performance strain-compensated InGaAs/InAlAs quantum cascade lasers 期刊论文 semiconductor science and technology, 2000, 卷号: 15, 期号: 12, 页码: l44-l46 作者:  Jiang DS;  Xu B;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 MU-M   Strain-compensated quantum cascade lasers operating at room temperature 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 439-443 作者:  Jiang DS;  Wang ZG;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum cascade laser  strain-compensation  molecular beam epitaxy  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  MU-M  PERFORMANCE