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科研机构
半导体研究所 [13]
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期刊论文 [13]
发表日期
2014 [1]
2001 [1]
2000 [5]
1999 [2]
1990 [1]
1988 [2]
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学科主题
半导体物理 [13]
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Strong Photoluminescence Enhancement of MoS2 through Defect Engineering and Oxygen Bonding
期刊论文
acs nano, 2014, 卷号: 8, 期号: 6, 页码: 5738-5745
Nan, HY
;
Wang, ZL
;
Wang, WH
;
Liang, Z
;
Lu, Y
;
Chen, Q
;
He, DW
;
Tan, PH
;
Miao, F
;
Wang, XR
;
Wang, JL
;
Ni, ZH
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浏览/下载：51/0
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提交时间：2015/04/02
Substrate dependence of InGaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2001, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 197-201
作者:
Xu B
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浏览/下载：98/6
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提交时间：2010/08/12
ORIENTED GAAS
INAS ISLANDS
HIGH-INDEX
SURFACES
TEMPERATURE
TOPOGRAPHY
STRAIN
LASER
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
physica e, 2000, 卷号: 8, 期号: 2, 页码: 134-140
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载：52/0
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提交时间：2010/08/12
quantum dots
high index
molecular beam epitaxy
photoluminescence
SURFACE SEGREGATION
ORIENTED GAAS
INGAAS
ISLANDS
WELLS
DISKS
Structural and optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.3)
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载：45/0
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提交时间：2010/08/12
1.3 MU-M
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE LINEWIDTH
EMISSION
LASERS
ENERGY
Anomalous temperature dependence of photoluminescence from InAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 5, 页码: 2529-2532
作者:
Xu B
;
Ye XL
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浏览/下载：37/0
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提交时间：2010/08/12
WELLS
(IN
GA)AS/GAAS
Photoluminescence study of InAlAs quantum dots grown on differently oriented surfaces
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2000, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 21-24
作者:
Xu B
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浏览/下载：111/0
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提交时间：2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
3-DIMENSIONAL ISLAND FORMATION
MONOLAYER COVERAGE
GAAS
INAS
INGAAS
TEMPERATURE
INXGA1-XAS
ENSEMBLES
GAAS(100)
Self-organized type-II In0.55Al0.45As/Al0.50Ga0.50As quantum dots realized on GaAs(311)A
期刊论文
applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 25, 页码: 3741-3743
作者:
Xu B
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浏览/下载：47/0
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提交时间：2010/08/12
VISIBLE PHOTOLUMINESCENCE
LINEWIDTH
INJECTION
EMISSION
WIRES
LASER
Structural and optical properties of self-assembled InAs quantum dots grown on GaAs (311) A substrate
期刊论文
acta physica sinica, 1999, 卷号: 48, 期号: 8, 页码: 1541-1546
作者:
Xu B
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浏览/下载：48/0
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提交时间：2010/08/12
THERMAL-ACTIVATION
LOCALIZED EXCITONS
PHOTOLUMINESCENCE
SUPERLATTICES
Red luminescence from self-assembled InAlAs AlGaAs quantum dots with bimodal size distribution
期刊论文
chinese physics letters, 1999, 卷号: 16, 期号: 4, 页码: 298-300
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载：30/0
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提交时间：2010/08/12
PHOTOLUMINESCENCE
GE
TEMPERATURE
ENSEMBLES
SI(100)
GROWTH
SHAPE
PHOTOREFLECTANCE AND PHOTOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION OF GAAS GROWN ON SI
期刊论文
vacuum, 1990, 卷号: 41, 期号: 0, 页码: 926-928
TENG D
;
ZHUANG WH
;
LIANG JB
;
LI YZ
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浏览/下载：6/0
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提交时间：2010/11/15
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