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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Spin transport study in a Rashba spin-orbit coupling system 期刊论文 scientific reports, 2014, 卷号: 4, 页码: 4030 Mei, FH; Zhang, S; Tang, N; Duan, JX; Xu, FJ; Chen, YH; Ge, WK; Shen, B 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/03/19 Anomalous temperature dependence of photoluminescence in self-assembled InGaN quantum dots 期刊论文 applied physics letters, 2012, 卷号: 101, 期号: 13, 页码: 131101 Ma J (Ma, Jun); Ji XL (Ji, Xiaoli); Wang GH (Wang, Guohong); Wei XC (Wei, Xuecheng); Lu HX (Lu, Hongxi); Yi XY (Yi, Xiaoyan); Duan RF (Duan, Ruifei); Wang JX (Wang, Junxi); Zeng YP (Zeng, Yiping); Li JM (Li, Jinmin); Yang FH (Yang, Fuhua); Wang C (Wang, Chao); Zou G (Zou, Gang) 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2013/03/27 Femtosecond laser lithography technique for submicron T-gate fabrication on positive photoresist 期刊论文 optical engineering, 2012, 卷号: 51, 期号: 5, 页码: 54303 Du, YD; Han, WH; Yan, W; Xu, XN; Zhang, YB; Wang, XD; Yang, FH; Cao, HZ; Jin, F; Dong, XZ; Zhao, ZS; Duan, XM; Liu, Y 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/03/17 Observation of the photoinduced anomalous Hall effect in GaN-based heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.122104 作者:  Yu JL 收藏  |  浏览/下载：44/2  |  提交时间：2011/07/05