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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 4 作者:  Wu, Facai;  Si, Shuyao;  Cao, Peng;  Wei, Wei;  Zhao, Xiaolong 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2019/12/05 conductive-bridging random access memory  conductive filaments  electrochemical reactions  ion barriers  molybdenum disulfide   Interface Engineering via MoS2 Insertion Layer for Improving Resistive Switching of Conductive-Bridging Random Access Memory 期刊论文 Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 4 作者:  Wu, Facai;  Si, Shuyao;  Cao, Peng;  Wei, Wei;  Zhao, Xiaolong 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/05