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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：宁波材料技术与工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Pressure-induced superconductivity and topological phase transitions in the topological nodal-line semimetal SrAs3 期刊论文 NPJ QUANTUM MATERIALS, 2020, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Cheng, Erjian;  Xia, Wei;  Shi, Xianbiao;  Yu, Zhenhai;  Wang, Lin 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2020/12/16 CRYSTALLINE INSULATOR  CRITICAL FIELD  SCHEMES  SURFACE  STATES   White-light-emitting flexible display devices based on double network hydrogels crosslinked by YAG:Ce phosphors 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY C, 2020, 卷号: 8, 期号: 1, 页码: 247-252 作者:  Xu, Yawen;  Chen, Jing;  Zhang, Hua;  Wei, Hua;  Zhou, Linjie 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2020/12/16 QUANTUM DOTS  FULL-COLOR  EMISSION  DIODES   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge