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高能物理研究所 [2]
大连理工大学 [1]
内容类型
会议论文 [3]
发表日期
2017 [3]
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发表日期:2017
内容类型:会议论文
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Performance-improved normally-off AlGaN/GaN high-electron mobility transistors with a designed p-GaN area under the recessed gate
会议论文
2016 13th IEEE International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, ICSICT 2016 - Proceedings
作者:
Huang, H.
;
Sun, Z.
;
Zhang, Z.
;
Shen, R.
;
Liang, Y.C.
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/03
Development of the C-ADS SRF Accelerator at IHEP
会议论文
Lanzhou, China, 2017
作者:
H.Y. Zhu
;
F.Yan
;
L.Bian
;
J.S.Cao
;
Y.Chen
收藏
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浏览/下载:73/0
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提交时间:2018/03/14
Design of C-ADS Injector-I Cryomodule for 325MHz Cavities
会议论文
Lanzhou, China, 2017
作者:
L.R.Sun
;
R.Ge
;
L.Bian
;
R.Han
;
S.P.Li
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2018/03/14
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