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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 专题：上海技术物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Implication of exotic topography depths of surface nanopits in scanning tunneling microscopy of HgCdTe 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 14 作者:  Zha, FX;  Li, MS;  Shao, J;  Wang, QY;  Ren, XR 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2013/03/18 Structural properties of carbon nitride films prepared by high dose nitrogen implantation into carbon thin films 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1996, 卷号: 79, 期号: 5, 页码: 2364-2368 作者:  Xin HP;  Lin CL;  Xu WP;  Wang LW;  Zou SC 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/11/21 Photoabsorption and photoresponse behaviors of Si-1-x/Ge-x/Si quantum wells 期刊论文 SOLID STATE COMMUNICATIONS, 1996, 卷号: 97, 期号: 7, 页码: 627-630 作者:  Yang Y;  Gong DW;  Huang XL;  Shi XH;  Sheng C 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2012/11/21