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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Evaluating AlGaN/AlN/GaN heterostructure Schottky barrier heights with flat-band voltage from forward current-voltage characteristics 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 12, 页码: 123504 Lv YJ; Lin ZJ; Meng LG; Yu YX; Luan CB; Cao ZF; Chen H; Sun BQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2012/01/06 The effect of growth temperature on structural quality of GaN/AlN quantum wells by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: art. no. 105106 Ma, ZF; Zhao, DG; Wang, YT; Jiang, DS; Zhang, SM; Zhu, JJ; Liu, ZS; Sun, BJ; Yang, H; Liang, JW 收藏  |  浏览/下载：51/3  |  提交时间：2010/03/08 INTERSUBBAND ABSORPTION  MU-M  ALGAN  GAN  INTERLAYERS  MOVPE  ALN