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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors 期刊论文 european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101 Lin DF (Lin D. F.); Wang XL (Wang X. L.); Xiao HL (Xiao H. L.); Wang CM (Wang C. M.); Qiang LJ (Qiang L. J.); Feng C (Feng C.); Chen H (Chen H.); Hou QF (Hou Q. F.); Deng QW (Deng Q. W.); Bi Y (Bi Y.); Kang H (Kang H.) 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/02/21 Origin of deep level defect related photoluminescence in annealed InP 期刊论文 journal of applied physics, 2006, 卷号: 100, 期号: 12, 页码: art.no.123519 Zhao, YW (Zhao, Youwen); Dong, ZY (Dong, Zhiyuan); Miao, SS (Miao, Shanshan); Deng, AH (Deng, Aihong); Yang, J (Yang, Jun); Wang, B (Wang, Bo) 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/29 DOPED SEMIINSULATING INP