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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 专题：上海微系统与信息技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 UHF频段OFDM移动多媒体传感器网络节点射频模块研究 期刊论文 通信学报, 2008, 期号: 09 庞瑞帆; 姜建; 王营冠; 张宏俊; 刘海涛 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2012/01/06 SOI  SIMOX  热导率  边界热阻   Reliability of lead-free solder joints with different PCB surface finishes under thermal cycling 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2008, 卷号: 454, 期号: 1-2, 页码: 174-179 Xia, YH; Me, XM 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2012/03/24 METALLIZATION  PACKAGES  FATIGUE   Improvement of total-dose irradiation hardness of silicon-on-insulator materials by modifying the buried oxide layer with ion implantation 期刊论文 CHINESE PHYSICS, 2006, 卷号: 15, 期号: 4, 页码: 792-797 Zhang, EX; Qian, C; Zhang, ZX; Lin, CL; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 IMPLANTING NITROGEN  RADIATION RESPONSE  THERMAL OXIDES  SIMOX  CHARGE  ELECTRON  OXYGEN  HOLE  TRANSISTORS  TECHNOLOGY   The density of states in liquid RbCl 期刊论文 ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA, 2004, 卷号: 20, 期号: 5, 页码: 494-497 He, XH; Tang, ZQ; Cheng, ZN 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/03/24 NORMAL-MODE ANALYSIS  SIMULATION  DIFFUSION   Increased thickness of buried oxide layer of silicon on insulator in separation by implantation of oxygen with water plasma 期刊论文 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2002, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: 1570-1573 Chen, J; Chen, M; Dong, YM; Wang, X; Zheng, ZH; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/03/24 ION-IMPLANTATION  HIGH-TEMPERATURE  DIFFUSION  HYDROGEN  MECHANISM  OXIDATION  SIMOX  SIO2