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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain analysis of InP/InGaAsP wafer bonded on Si by X-ray double crystalline diffraction 期刊论文 materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 133, 期号: 1-3, 页码: 117-123 Zhao HQ (Zhao Hong-Quan); Yu LJ (Yu Li-Juan); Huang YZ (Huang Yong-Zhen); Wang YT (Wang Yu-Tian) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 InP  Si  X-ray double crystalline diffraction  thermal strain  wafer bonding  OPTOELECTRONIC DEVICES  EPITAXIAL OVERGROWTHS  TEMPERATURE  INTERFACE  STRESSES  VCSELS  SURFACES  ENERGY   A model of dislocations at the interface of the bonded wafers 会议论文 conference on optical interconnects for telecommunication and data communications, beijing, peoples r china, nov 08-10, 2000 作者:  Han WH;  Wang LC 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 wafer bonding  heteroepitaxy  lattice mismatch  edge-like dislocations  thermal stress  60 degrees dislocation lines  GAAS