CORC

在结果中检索

CORC

浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Cte-matched silicon-carbide submount with high thermal conductivity contacts 专利
专利号: US20190044302A1, 申请日期: 2019-02-07, 公开日期: 2019-02-07
作者:  KANSKAR, MANOJ;  CHEN, ZHIGANG
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/31
一种Pd/TiO2-C-SiC催化剂及其制备与应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201210064296.4, 申请日期: 2014-12-31, 公开日期: 2014-12-31
作者:  包信和;  周永华;  李星运;  潘秀莲
收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2015/11/16
Silicon carbide substrate, epitaxial wafer and manufacturing method of silicon carbide substrate 专利
专利号: US8709950, 申请日期: 2014-04-29, 公开日期: 2014-04-29
作者:  SASAKI, MAKOTO;  HARADA, SHIN
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/24
Submounts for Semiconductor Lasers 专利
专利号: US8068524, 申请日期: 2011-11-29, 公开日期: 2011-11-29
作者:  PATEL, C. KUMAR N.;  LYAKH, ARKADIY;  TSEKOUN, ALEXEI;  MAULINI, RICHARD
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/24
Single crystal silicon carbide layers on diamond and associated methods 专利
专利号: US7799599, 申请日期: 2010-09-21, 公开日期: 2010-09-21
作者:  SUNG, CHIEN-MIN
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/24
発熱体の放熱構造 专利
专利号: JP1996034273B2, 申请日期: 1996-03-29, 公开日期: 1996-03-29
作者:  藤野 裕代;  高橋 実;  金井 紀洋士;  橋本 秀之;  小沢 正之
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/23
Growing method for silicon carbide layer 专利
专利号: JP1987018708A, 申请日期: 1987-01-27, 公开日期: 1987-01-27
作者:  TOKI MASAHIKO;  FURUMURA YUJI;  MIENO FUMITAKE;  NAKAZAWA TSUTOMU;  ITO KIKUO
收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/31

©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by CSpace