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10 × 100 mm 4H-SiC epitaxial growth by warm-wall planetary reactor 期刊论文
materials science forum, 2013, 卷号: 740-742, 页码: 239-242
Lin Dong, Guo Sheng Sun, Jun Yu, Guo Guo Yan, Wan Shun Zhao, Lei Wang, Xin He Zhang, Xi Guang Li, Zhan Guo Wang
收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/05/08
Design of a three-layer hot-wall horizontal flow MOCVD reactor 期刊论文
journal of semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 9, 页码: 093005
Gu, Chengyan; Lee, Chengming; Liu, Xianglin
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/05/07
Improvement of amorphous silicon n-i-p solar cells by incorporating double-layer hydrogenated nanocrystalline silicon structure 期刊论文
journal of non-crystalline solids, 2011, 卷号: 357, 期号: 1, 页码: 121-125
作者:  Wang C
收藏  |  浏览/下载：69/3  |  提交时间：2011/07/05
Measurement of wurtzite ZnO/rutile TiO2 heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 1099-1103
作者:  Wei HY
收藏  |  浏览/下载：59/8  |  提交时间：2011/07/05
Photorefractive effects in ZnO nanorod doped liquid crystal cell 期刊论文
applied optics, 2011, 卷号: 50, 期号: 8, 页码: 1101-1104
作者:  Guo YB
收藏  |  浏览/下载：71/7  |  提交时间：2011/07/05
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:  Duan RF
收藏  |  浏览/下载：80/4  |  提交时间：2011/07/05
Valence band offset of GaN/diamond heterojunction measured by X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied surface science, 2011, 卷号: 257, 期号: 18, 页码: 8110-8112
作者:  Shi K;  Jiao CM;  Song HP
收藏  |  浏览/下载：94/7  |  提交时间：2011/07/05
Measurement of wurtzite ZnO/rutile TiO(2) heterojunction band offsets by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
applied physics a-materials science & processing, 2011, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: 1099-1103
Wang, J; Liu, XL; Yang, AL; Zheng, GL; Yang, SY; Wei, HY; Zhu, QS; Wang, ZG
收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2012/02/06
The effect of different oriented sapphire substrates on the growth of polar and non-polar ZnMgO by MOCVD 期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 39-42
作者:  Song HP;  Shi K;  Sang L;  Wei HY
收藏  |  浏览/下载：58/3  |  提交时间：2011/07/05
Determination of the transport properties in 4H-SiC wafers by Raman scattering measurement 期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: article no.33301
作者:  Liu XF;  Yan GG;  Zheng L;  Dong L
收藏  |  浏览/下载：37/3  |  提交时间：2011/07/05

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