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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2000 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体材料 [2]
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学科主题:半导体材料
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Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/08/12
cubic GaN
hexagonal GaN
buffer layer
AFM
RHEED
CUBIC GAN
FILMS
GAAS
DEPENDENCE
NITRIDE
LAYERS
PHOTOEMISSION-STUDY OF THE INTERFACIAL FORMATION PROCESS AND REACTIONS BETWEEN AL AND HYDROGENATED AMORPHOUS SI
期刊论文
surface science, 1991, 卷号: 243, 期号: 0, 页码: l41-l45
ZHONG ZT
;
WANG DW
;
LIAO XB
;
MOU SM
;
FAN Y
;
LI CF
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2010/11/15
FILMS
MICROSTRUCTURE
SI(111)
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